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题名/责任者:

衍射极限附近的光刻工艺/伍强等编著

出版发行项:

北京:清华大学出版社,2020

ISBN及定价:

978-7-302-53742-7/CNY168.00

载体形态项:

21, 665页:图 (部分彩图);26cm

并列正题名:

Photolithography process near the diffraction limit

丛编项:

高端集成电路制造工艺丛书

个人责任者:

伍强 编著

学科主题:

光刻设备-研究

中图法分类号:

TN305.7

一般附注:

2019年国家出版基金资助项目 “十三五”国家重点图书出版规划项目

责任者附注:

伍强, 1993年于复旦大学获物理学学士学位, 1999年于耶鲁大学获物理学博士学位。毕业后就职于美国国际商业机器 (IBM) 公司, 担任半导体集成电路光刻工艺研发工程师, 在研发65nm逻辑光刻工艺时, 在世界上首次通过建模精确测量了光刻工艺的重要参数。

书目附注:

有索引

提要文摘附注:

为了应对我国在集成电路领域, 尤其是光刻技术方面严重落后于发达国家的局面, 破解光刻制造设备、材料和光学邻近效应修正软件几乎完全依赖进口的困境, 作为从事光刻工艺研发近 20 年的资深研发人员, 作者肩负着协助光刻设备、材料和软件等产业链共同研发和发展的责任, 将近 20 年的学习成果和研发经验汇编成书, 建立联系我国集成电路芯片的研发和制造, 设备、材料和软件的研发, 以及大专院校、科研院所的科学技术研究、人才培养的一座桥梁。本书以光刻工艺为主线, 有机地将光刻设备、光刻材料、光刻成像的理论计算、光刻工艺中各种建模思想和推导、芯片制造的技术发展要求以及对光刻工艺各项参数的要求紧密地联系在一起, 给读者一个整体的图景。

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