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MARC状态:审校 文献类型:中文图书 浏览次数:60

题名/责任者:
硅锗的性质/(德) Erich Kasper主编 余金中译
出版发行项:
北京:国防工业出版社,2002
ISBN及定价:
7-118-02883-5 精装/CNY24.00
载体形态项:
250页:图;20cm
并列正题名:
Properties of Strained and Relaxed Silicon Germanium
个人责任者:
卡斯珀 (Kasper, Erich) 主编
个人次要责任者:
余金中 (物理学) 译
学科主题:
硅-集成电路-半导体器件-性质
中图法分类号:
TN304.1
中图法分类号:
TN303
责任者附注:
责任者规范汉译姓:卡斯珀
书目附注:
有书目。
提要文摘附注:
本书由31位来自德国、美国、加拿大、英国、日本等国Si基异质结构和应用领域的教授们编写,是一本论述SiGe/Si知识的权威性专著。本书共七章,第一章综述了SiGe应变层系统的一些总体性质;第二章至第六章给出了应变的和弛豫的SiGe合金的具体材料性质,综合评述了SiGe材料的结晶学、异质结构、热学性质、力学和晶格振动、能带结构、输运特性、表面性质等内容;第七章介绍了一些代表性的SiGe/Si器件的结构和特性。
全部MARC细节信息>>
索书号 条码号 年卷期 馆藏地 书刊状态
TN303/6 C000190934 2002  理科阅览区     可借
TN303/6 C000190935 2002  理科阅览区     可借
TN303/6 C000190936 2002  理科阅览区     可借
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