MARC状态:审校 文献类型:中文图书 浏览次数:60
- 题名/责任者:
- 硅锗的性质/(德) Erich Kasper主编 余金中译
- 出版发行项:
- 北京:国防工业出版社,2002
- ISBN及定价:
- 7-118-02883-5 精装/CNY24.00
- 载体形态项:
- 250页:图;20cm
- 个人责任者:
- 卡斯珀 (Kasper, Erich) 主编
- 个人次要责任者:
- 余金中 (物理学) 译
- 学科主题:
- 硅-集成电路-半导体器件-性质
- 中图法分类号:
- TN304.1
- 中图法分类号:
- TN303
- 责任者附注:
- 责任者规范汉译姓:卡斯珀
- 书目附注:
- 有书目。
- 提要文摘附注:
- 本书由31位来自德国、美国、加拿大、英国、日本等国Si基异质结构和应用领域的教授们编写,是一本论述SiGe/Si知识的权威性专著。本书共七章,第一章综述了SiGe应变层系统的一些总体性质;第二章至第六章给出了应变的和弛豫的SiGe合金的具体材料性质,综合评述了SiGe材料的结晶学、异质结构、热学性质、力学和晶格振动、能带结构、输运特性、表面性质等内容;第七章介绍了一些代表性的SiGe/Si器件的结构和特性。
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| 索书号 | 条码号 | 年卷期 | 馆藏地 | 书刊状态 |
| TN303/6 | C000190934 | 2002 | 理科阅览区
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可借 |
| TN303/6 | C000190935 | 2002 | 理科阅览区
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可借 |
| TN303/6 | C000190936 | 2002 | 理科阅览区
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可借 |
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