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• 010 __ |a 7-118-02883-5 |b 精装 |d CNY24.00

• 099 __ |a CAL 012002249306

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• 200 1_ |a 硅锗的性质 |A Gui Zhe De Xing Zhi |d = Properties of Strained and Relaxed Silicon Germanium |f (德) Erich Kasper主编 |g 余金中译 |z eng

• 210 __ |a 北京 |c 国防工业出版社 |d 2002

• 215 __ |a 250页 |c 图 |d 20cm

• 314 __ |a 责任者规范汉译姓：卡斯珀

• 320 __ |a 有书目。

• 330 __ |a 本书由31位来自德国、美国、加拿大、英国、日本等国Si基异质结构和应用领域的教授们编写，是一本论述SiGe/Si知识的权威性专著。本书共七章，第一章综述了SiGe应变层系统的一些总体性质；第二章至第六章给出了应变的和弛豫的SiGe合金的具体材料性质，综合评述了SiGe材料的结晶学、异质结构、热学性质、力学和晶格振动、能带结构、输运特性、表面性质等内容；第七章介绍了一些代表性的SiGe/Si器件的结构和特性。

• 510 1_ |a Properties of Strained and Relaxed Silicon Germanium |z eng

• 606 0_ |a 硅 |A Gui |x 集成电路 |x 半导体器件 |x 性质

• 690 __ |a TN304.1 |v 4

• 690 __ |a TN303 |v 4

• 701 _1 |a 卡斯珀 |A Kasipo |g (Kasper, Erich) |4 主编

• 702 _0 |a 余金中 |A Yu Jinzhong |c (物理学) |4 译

• 801 _0 |a CN |b NMU |c 20021210

• 801 _2 |a CN |b SCU |c 20030424

• 801 _2 |a CN |b LJUZC |c 20051229

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• 920 __ |a 222016 |z 1