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题名/责任者:

集成电路器件抗辐射加固设计技术/闫爱斌 ... [等] 著

出版发行项:

北京:科学出版社,2023

ISBN及定价:

978-7-03-074714-3/CNY129.00

载体形态项:

214页:图;24cm

个人责任者:

闫爱斌 著

个人责任者:

倪天明 著

个人责任者:

黄正峰 著

学科主题:

集成电路-电子器件-抗辐射性-机械加固-设计

中图法分类号:

TN4

题名责任附注:

题名页题: 闫爱斌, 倪天明, 黄正峰, 崔杰著

书目附注:

有书目 (第207-214页)

提要文摘附注:

本书共分为6章, 分别为绪论、常用的抗辐射加固设计技术及组件、表决器的抗辐射加固设计技术、锁存器的抗辐射加固设计技术、主从触发器的抗辐射加固设计技术以及SRAM单元的抗辐射加固设计技术。通过学习本书内容, 读者可以强化对集成电路器件抗辐射加固设计技术的认知, 了解该领域的当前最新研究成果和相关技术。

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