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• 010 __ |a 978-7-03-074714-3 |d CNY129.00

• 100 __ |a 20230411d2023 em y0chiy50 ea

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• 102 __ |a CN |b 110000

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• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 集成电路器件抗辐射加固设计技术 |A ji cheng dian lu qi jian kang fu she jia gu she ji ji shu |f 闫爱斌 ... [等] 著

• 210 __ |a 北京 |c 科学出版社 |d 2023

• 215 __ |a 214页 |c 图 |d 24cm

• 304 __ |a 题名页题: 闫爱斌, 倪天明, 黄正峰, 崔杰著

• 320 __ |a 有书目 (第207-214页)

• 330 __ |a 本书共分为6章, 分别为绪论、常用的抗辐射加固设计技术及组件、表决器的抗辐射加固设计技术、锁存器的抗辐射加固设计技术、主从触发器的抗辐射加固设计技术以及SRAM单元的抗辐射加固设计技术。通过学习本书内容, 读者可以强化对集成电路器件抗辐射加固设计技术的认知, 了解该领域的当前最新研究成果和相关技术。

• 606 0_ |a 集成电路 |A ji cheng dian lu |x 电子器件 |x 抗辐射性 |x 机械加固 |x 设计

• 690 __ |a TN4 |v 5

• 701 _0 |a 闫爱斌 |A yan ai bin |4 著

• 701 _0 |a 倪天明 |A ni tian ming |4 著

• 701 _0 |a 黄正峰 |A huang zheng feng |4 著

• 801 _0 |a CN |b 湖北三新 |c 20240125

• 905 __ |a LJUZC |d TN4/43

• 920 __ |a 222016 |z 1