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题名/责任者:

晶圆级应变SOI技术/戴显英, 苗东铭, 荆熠博著

出版发行项:

西安:西安电子科技大学出版社,2024

ISBN及定价:

978-7-5606-7406-3/CNY37.00

载体形态项:

150页:图;26cm

并列正题名:

Wafer level strain SOI technology

个人责任者:

戴显英 著

个人责任者:

苗东铭 著

个人责任者:

荆熠博 著

学科主题:

集成电路工艺

中图法分类号:

TN405

一般附注:

国家自然科学基金项目资助

相关题名附注:

英文并列题名取自封面

书目附注:

有书目 (第142-150页)

提要文摘附注:

本书共分7章, 主要介绍SOI晶圆制备技术、SOI晶圆材料力学特性与结构特性、机械致晶圆级单轴应变SOI技术、高应力氮化硅薄膜致晶圆级应变SOI技术及其相关效应、高应力氮化硅薄膜致应变SOI晶圆制备、晶圆级应变SOI应变模型、晶圆级应变SOI应力分布的有限元计算。

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