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- 题名/责任者:
- InAs/AlSb异质结型射频场效应晶体管技术/关赫著
- 出版发行项:
- 西安:西北工业大学出版社,2022
- ISBN及定价:
- 978-7-5612-8125-3/CNY58.00
- 载体形态项:
- 192页:图;24cm
- 个人责任者:
- 关赫 著
- 学科主题:
- 结型场效应晶体管
- 中图法分类号:
- TN386.6
- 一般附注:
- 学术研究专著
- 书目附注:
- 有书目 (第182-192页)
- 提要文摘附注:
- 本书针对InAs/AlSb HEMTs器件开展了系统研究, 在器件特性研究、模型建立、电路设计及制备工艺等方面进行了较为深入的探讨。与传统半导体器件GaAs和GaN HEMTs相比, InAs/AlSb HEMTs作为典型的锑基化合物半导体 (ABCS) 器件具备更高的电子迁移率和电子饱和漂移速度, 在高速、低功耗、低噪声等应用方面拥有良好的发展前景。特别在深空探测方面, InAs/A1Sb HEMTs作为深空探测的低噪声放大器 (LNA) 的候选核心器件具有无可比拟的优势。
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| 索书号 | 条码号 | 年卷期 | 馆藏地 | 书刊状态 | 还书位置 |
| TN386.6/1 | C001595917 | 2022 |  理科阅览区
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可借 | 总服务台 |
| TN386.6/1 | C001595918 | 2022 | 理科阅览区
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可借 | 总服务台 |
| TN386.6/1 | C001595919 | 2022 | 理科阅览区
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借出-应还日期：2026-06-26 | 理科阅览区 |
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