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• 010 __ |a 978-7-5612-8125-3 |d CNY58.00

• 099 __ |a CAL 012022046020

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• 200 1_ |a InAs/AlSb异质结型射频场效应晶体管技术 |A InAs/AlSb yi zhi jie xing she pin chang xiao ying jing ti guan ji shu |f 关赫著

• 210 __ |a 西安 |c 西北工业大学出版社 |d 2022

• 215 __ |a 192页 |c 图 |d 24cm

• 300 __ |a 学术研究专著

• 320 __ |a 有书目 (第182-192页)

• 330 __ |a 本书针对InAs/AlSb HEMTs器件开展了系统研究, 在器件特性研究、模型建立、电路设计及制备工艺等方面进行了较为深入的探讨。与传统半导体器件GaAs和GaN HEMTs相比, InAs/AlSb HEMTs作为典型的锑基化合物半导体 (ABCS) 器件具备更高的电子迁移率和电子饱和漂移速度, 在高速、低功耗、低噪声等应用方面拥有良好的发展前景。特别在深空探测方面, InAs/A1Sb HEMTs作为深空探测的低噪声放大器 (LNA) 的候选核心器件具有无可比拟的优势。

• 606 0_ |a 结型场效应晶体管 |A jie xing chang xiao ying jing ti guan

• 690 __ |a TN386.6 |v 5

• 701 _0 |a 关赫 |A guan he |4 著

• 801 _0 |a CN |b 人天书店 |c 20221103

• 905 __ |a LJUZC |d TN386.6/1

• 920 __ |a 222016 |z 1