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- 题名/责任者:
- 氮化物宽禁带半导体材料与电子器件/郝跃, 张金风, 张进成著
- 出版发行项:
- 北京:科学出版社,2013
- ISBN及定价:
- 978-7-03-036717-4 精装/CNY86.00
- 载体形态项:
- xi, 303页:图;25cm
- 丛编项:
- 半导体科学与技术丛书;24
- 个人责任者:
- 郝跃 著
- 个人责任者:
- 张金风 著
- 个人责任者:
- 张进成 著
- 学科主题:
- 氮化物-禁带-半导体材料
- 学科主题:
- 氮化物-禁带-电子器件
- 中图法分类号:
- TN304
- 中图法分类号:
- TN6
- 书目附注:
- 有书目
- 提要文摘附注:
- 本书以作者多年的研究成果为基础, 系统地介绍了Ⅲ族氮化物宽禁带半导体材料与电子器件的物理特性和实现方法, 重点介绍了半导体高电子迁移率晶体管 (HEMT) 与相关氮化物材料。
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| 索书号 | 条码号 | 年卷期 | 馆藏地 | 书刊状态 |
| TN304/2 | C001258911 | 2013 |  理科阅览区
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可借 |
| TN304/2 | C001258912 | 2013 | 理科阅览区
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可借 |
| TN304/2 | C001258913 | 2013 | 理科阅览区
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可借 |
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