机读格式显示(MARC)

• 000 01186nam 2200325 450

• 001 0000229658

• 005 20131226112600.0

• 010 __ |a 978-7-03-036717-4 |b 精装 |d CNY86.00

• 100 __ |a 20130314d2013 em y0chiy50 ea

• 101 0_ |a chi

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a ak a 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 氮化物宽禁带半导体材料与电子器件 |A dan hua wu kuan jin dai ban dao ti cai liao yu dian zi qi jian |f 郝跃, 张金风, 张进成著

• 210 __ |a 北京 |c 科学出版社 |d 2013

• 215 __ |a xi, 303页 |c 图 |d 25cm

• 225 2_ |a 半导体科学与技术丛书 |A ban dao ti ke xue yu ji shu cong shu |v 24

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书以作者多年的研究成果为基础, 系统地介绍了Ⅲ族氮化物宽禁带半导体材料与电子器件的物理特性和实现方法, 重点介绍了半导体高电子迁移率晶体管 (HEMT) 与相关氮化物材料。

• 410 _0 |1 2001 |a 半导体科学与技术丛书 |v 24

• 606 0_ |a 氮化物 |A dan hua wu |x 禁带 |x 半导体材料

• 606 0_ |a 氮化物 |A dan hua wu |x 禁带 |x 电子器件

• 690 __ |a TN304 |v 5

• 690 __ |a TN6 |v 5

• 701 _0 |a 郝跃 |A hao yue |4 著

• 701 _0 |a 张金风 |A zhang jin feng |4 著

• 701 _0 |a 张进成 |A zhang jin cheng |4 著

• 801 _0 |a CN |b 人天书店 |c 20130314

• 905 __ |a LJUZC |d TN304/2

• 920 __ |a 222016 |z 1