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• 000 01265nam0 2200325 450

• 001 0000414747

• 005 20220915085900.0

• 010 __ |a 978-7-03-069683-0 |d CNY108.00

• 099 __ |a CAL 004230113

• 100 __ |a 20211228d2021 em y0chiy50 ea

• 101 0_ |a chi

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a a a 001yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 氮化铝晶体生长与应用 |A dan hua lu^ jing ti sheng chang yu ying yong |f 宋波, 韩杰才, 刘梦婷编著

• 210 __ |a 北京 |c 科学出版社 |d 2021

• 215 __ |a 198页 |c 图 |d 24cm

• 306 __ |a 国家科学技术学术著作出版基金资助出版

• 312 __ |a 英文题名取自封面

• 320 __ |a 有书目和索引

• 330 __ |a 本书分为7章, 第1章是绪论, 介绍了第一、二、三代半导体材料的基本概念、性质和应用 ; 第2-6章主要介绍了氮化铝晶体的基本特性, 低维氮化铝纳米材料、氮化铝薄膜和氮化铝晶体的制备方法, 以及三元合金及掺杂改性 ; 第7章主要介绍了氮化铝材料的具体应用, 介绍了氮化铝晶体的基本性质、生长方法和具体应用。

• 510 1_ |a Growth and application of aluminum nitride crystal material |z eng

• 606 0_ |a 氮化铝 |A dan hua lu^ |x 研究

• 690 __ |a O614.3 |v 5

• 701 _0 |a 宋波 |A song bo |4 编著

• 701 _0 |a 韩杰才 |A han jie cai |4 编著

• 701 _0 |a 刘梦婷 |A liu meng ting |4 编著

• 801 _0 |a CN |b 人天书店 |c 20211228

• 905 __ |a LJUZC |d O614.3/1

• 920 __ |a 222016 |z 1