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• 001 0000505387

• 005 20251103160000.0

• 010 __ |a 978-7-111-77736-6 |d CNY129.00

• 100 __ |a 20250429d2025 em y0chiy50 ea

• 101 1_ |a chi |c eng

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a ak a 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 半导体存储与系统 |A ban dao ti cun chu yu xi tong |f (意) 安德烈·雷达利, 法比奥·佩利泽等著 |g 霍宗亮 ... [等] 译

• 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2025

• 215 __ |a xii, 279页 |c 图 (部分彩图) |d 24cm

• 225 2_ |a 集成电路科学与工程丛书 |A ji cheng dian lu ke xue yu gong cheng cong shu

• 304 __ |a 题名页题: 霍宗亮, 王颀, 胡伟, 陈珂译

• 306 __ |a 本版由ELSEVIER LTD.授权机械工业出版社在中国大陆地区 (不包括香港、澳门特别行政区及台湾地区) 出版发行

• 312 __ |a 英文题名原文取自封面

• 314 __ |a 安德烈·雷达利 (Andrea Redaelli), 分别于2003年和2007年在意大利米兰理工大学获得电子工程硕士学位和博士学位。法比奥·佩利泽 (Fabio Pellizzer), 于1996年在意大利帕多瓦大学获得电子工程硕士学位, 毕业论文课题是薄栅氧化物的表征和可靠性。霍宗亮, 研究员, 具有二十余年存储技术研发经验, 在架构、集成、机理、可靠性和芯片设计等方面形成特色。王颀, 研究员, 现在中国科学院微电子研究所工作, 具有二十年以上存储技术研发经验, 发表论文三十余篇, 申请专利五十余项, 科研领域涉及存储器电路、存储系统和可靠性算法等。胡伟, 复旦微电子毕业, 现在北京大学集成电路学院从事客座研究, 专注于先进存储与智能计算领域。

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书提供了在各个工艺及系统层次的半导体存储器现状的全面概述。在介绍了市场趋势和存储应用之后, 本书重点介绍了各种主流技术, 详述了它们的现状、挑战和机遇, 并特别关注了可微缩途径。这些述及的技术包括静态随机存取存储器 (SRAM)、动态随机存取存储器 (DRAM)、非易失性存储器 (NVM) 和NAND闪存。本书还提及了嵌入式存储器以及储存类内存(SCM)的各项必备条件和系统级需求。每一章都涵盖了物理运行机制、制造技术和可微缩性的主要挑战因素。最后, 本书回顾了SCM的新兴趋势, 主要关注基于相变的存储技术的优势和机遇。

• 410 _0 |1 2001 |a 集成电路科学与工程丛书

• 500 10 |a Semiconductor memories and systems |A Semiconductor Memories And Systems |m Chinese

• 606 0_ |a 半导体器件 |A ban dao ti qi jian

• 690 __ |a TN303 |v 5

• 701 _1 |a 雷达利 |A lei da li |g (Redaelli, Andrea) |4 著

• 701 _1 |a 佩利泽 |A pei li ze |g (Pellizzer, Fabio) |4 著

• 702 _0 |a 霍宗亮 |A huo zong liang |4 译

• 702 _0 |a 王颀 |A wang qi |4 译

• 801 _0 |a CN |b 湖北三新 |c 20250724

• 905 __ |a LJUZC |d TN303/31

• 920 __ |a 222016 |z 1