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- 010 __ |a 978-7-111-78270-4 |d CNY79.00
- 099 __ |a CAL 012025079912
- 100 __ |a 20250710d2025 em y0chiy50 ea
- 200 1_ |a 纳米级CMOS VLSI电路 |A na mi ji CMOS VLSIdian lu |e 可制造性设计 |f (美) 桑迪普·昆杜, 阿斯温·斯雷德哈著 |d = Nanoscale CMOS VLSI circuits |e design for manufacturability |f Sandip Kundu, Aswin Sreedhar |g 潘彪, 康旺, 蒋林君译 |z eng
- 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2025
- 225 2_ |a 集成电路大师级系列 |A ji cheng dian lu da shi ji xi lie
- 314 __ |a 桑迪普·昆杜(Sandip Kundu), 博士, 美国马萨诸塞大学电子与计算机工程学院教授, IEEE会士, 曾在Intel和IBM担任资深工程师, 担任IEEE Transaction onComputers等期刊的副主编, 发表过130多篇SCI文章, 并拥有12项专利。
- 314 __ |a 阿斯温·斯雷德哈(Aswin Sreedhar), 博士, 美国马萨诸塞大学电子与计算机工程学院助理研究员, 研究兴趣包括VLSI系统可制造性设计的统计技术和电路可靠性。
- 314 __ |a 潘彪, 博士, 北京航空航天大学集成电路科学与工程学院副教授、博士生导师, 曾获批吴文俊人工智能科技进步二等奖, 北京航空航天大学青年拔尖人才。
- 314 __ |a 康旺, 博士, 北京航空航天大学集成电路科学与工程学院教授、博士生导师, 毕业于北京航空航天大学与法国巴黎萨克雷大学 (双博士学位), IEEE高级会员、中国电子学会高级会员。
- 330 __ |a 本书为读者提供了深入了解和掌握可制造性设计（DFM）和可靠性设计（DFR）所需的知识和技能。本书首先介绍了CMOSVLSI设计的趋势, 并简要介绍了可制造性设计和可靠性设计的基本概念; 其次介绍了半导体制造的各种工艺步骤, 并探讨了工艺与器件偏差以及分辨率增强技术; 然后深入研究了半导体制造过程中的各种制造缺陷及其对电路的影响, 并讨论了可靠性问题的物理机制及其影响; 最后探讨了在电路实现过程中不同阶段采用DFM和DFR方法所带来的变化。
- 410 _0 |1 2001 |a 集成电路大师级系列
- 500 10 |a Nanoscale CMOS VLSI circuits : design for manufacturability |A Nanoscale Cmos Vlsi Circuits : Design For Manufacturability |m Chinese
- 606 0_ |a 纳米材料 |A na mi cai liao |x CMOS电路 |x 超大规模集成电路 |x 电路设计
- 701 _1 |a 昆杜 |A Kundu |g (Kundu, Sandip) |4 著
- 701 _1 |a 斯雷德哈 |A Sileideha |g (Sreedhar, Aswin) |4 著
- 702 _0 |a 潘彪 |A Pan Biao |4 译
- 702 _0 |a 康旺 |A Kang Wang |4 译
- 702 _0 |a 蒋林君 |A Jiang Linjun |4 译
- 801 _0 |a CN |b 辽宁北配 |c 20250208
- 905 __ |a LJUZC |d TN432.02/14