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• 010 __ |a 978-7-111-77893-6 |d CNY149.00

• 100 __ |a 20250512d2025 em y0chiy50 ea

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• 102 __ |a CN |b 110000

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• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 碳化硅功率器件 |A tan hua gui gong lv qi jian |e 特性、测试和应用技术 |f 高远, 张岩编著

• 205 __ |a 第2版

• 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2025

• 215 __ |a xix, 536页 |c 图 |d 24cm

• 225 2_ |a 电力电子新技术系列图书 |A dian li dian zi xin ji shu xi lie tu shu

• 312 __ |a 英文并列题名取自封面

• 314 __ |a 高远, 2008年保送进入西安交通大学钱学森实验班, 2012年和2015年于西安交通大学分别获得电气工程专业学士和硕士学位。张岩, 西安交通大学电气学院副教授, 博士生导师, 2014年西安交通大学电气工程博士毕业留校任教至今, 2016-2017年于加拿大女王大学从事博士后访问研究。主要研究方向为碳化硅器件测试及应用技术, 高性能电力电子变换及其先进数字控制技术。

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书综合了近几年工业界的最新进展和学术界的最新研究成果, 详细介绍并讨论了碳化硅功率器件的基本原理、发展现状与趋势、特性及测试方法、应用技术和各应用领域的方案。本书共分为12章, 内容涵盖功率半导体器件基础, SiC二极管的主要特性, SiCMOSFET参数的解读、测试及应用, SiC器件与Si器件特性对比, 双脉冲测试技术, SiC器件测试和失效分析技术, 高di/dt影响与应对--关断电压过冲, 高dv/dt的影响与应对--串扰, 高dv/dt影响与应对--共模电流, 共源极电感影响与应对, 驱动电路, SiC器件的主要应用。

• 410 _0 |1 2001 |a 电力电子新技术系列图书

• 510 1_ |a Silicon carbide power semiconductor devices |e characteristics, testing and applications |z eng

• 517 1_ |a 特性、测试和应用技术 |A te xing 、ce shi he ying yong ji shu

• 606 0_ |a 功率半导体器件 |A gong lv ban dao ti qi jian

• 690 __ |a TN303 |v 5

• 701 _0 |a 高远 |A gao yuan |4 编著

• 701 _0 |a 张岩 |A zhang yan |4 编著

• 801 _0 |a CN |b 湖北三新 |c 20250724

• 905 __ |a LJUZC |d TN303/33=2

• 920 __ |a 222016 |z 1