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• 001 0000505184

• 005 20251103153400.0

• 010 __ |a 978-7-111-76455-7 |d CNY168.00

• 100 __ |a 20250219d2025 em y0chiy50 ea

• 101 1_ |a chi |c eng

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a ak a 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 氮化镓电子器件热管理 |A dan hua jia dian zi qi jian re guan li |f (美) 马尔科·J. 塔德尔, 特拉维斯·J. 安德森主编 |d = Thermal management of gallium nitride electronics |f Marko J. Tadjer, Travis J. Anderson |g 来萍 ... [等] 译 |z eng

• 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2025

• 215 __ |a xiv, 415页 |c 图 (部分彩图) |d 24cm

• 225 2_ |a 先进半导体产业关键技术丛书 |A xian jin ban dao ti chan ye guan jian ji shu cong shu

• 304 __ |a 题名页题: 来萍, 陈义强, 王宏跃, 何小琦, 贺致远等译

• 306 __ |a 本版由ELSEVIER LTD.授权机械工业出版社在中国大陆地区 (不包括香港、澳门特别行政区以及台湾地区) 出版发行

• 314 __ |a 马尔科·J. 塔德尔 (Marko J. Tadjer), 博士, 就职于华盛顿特区美国海军研究实验室。特拉维斯·J. 安德森 (TravisJ. Anderson), 博士, 美国海军研究实验室电力电子部门的负责人, 于2008年获得美国佛罗里达大学化学工程博士学位, 于2004 年获得乔治亚理工学院化学工程学士学位。

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书概述了业界前沿研究者所采取的技术方法, 以及他们所面临的挑战和在该领域所取得的进展。具体内容包括宽禁带半导体器件中的热问题、氮化镓 (GaN) 及相关材料的第一性原理热输运建模、多晶金刚石从介观尺度到纳米尺度的热输运、固体界面热输运基本理论、氮化镓界面热导上限的预测和测量、AlGaN/GaNHEMT器件物理与电热建模、氮化镓器件中热特性建模、AlGaN/GaNHEMT器件级建模仿真、基于室温键合形成的高导热半导体界面、AlGaN/GaN器件在金刚石衬底上直接低温键合技术、氮化镓电子器件的微流体冷却技术、氮化镓热管理技术在Ga2O3整流器和MOSFET中的应用。

• 410 _0 |1 2001 |a 先进半导体产业关键技术丛书

• 500 10 |a Thermal management of gallium nitride electronics |m Chinese

• 606 0_ |a 氮化镓 |A dan hua jia |x 电力半导体器件 |x 传热学

• 690 __ |a TN303 |v 5

• 701 _1 |a 塔德尔 |A ta de er |g (Tadjer, Marko J.) |4 主编

• 701 _1 |a 安德森 |A an de sen |g (Anderson, Travis J.) |4 主编

• 702 _0 |a 来萍 |A lai ping |4 译

• 702 _0 |a 陈义强 |A chen yi qiang |4 译

• 801 _0 |a CN |b 湖北三新 |c 20250724

• 905 __ |a LJUZC |d TN303/32

• 920 __ |a 222016 |z 1