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MARC状态:审校 文献类型:中文图书 浏览次数:46

题名/责任者:
电可改写非挥发存储器/于宗光, 郝跃著
出版发行项:
北京:国防工业出版社,2002
ISBN及定价:
7-118-02767-7 精装/CNY19.00
载体形态项:
XX, 227页:图;21cm
并列正题名:
Electrically re-programmable nonvolatile memory
个人责任者:
于宗光, 1964- 著
个人责任者:
郝跃, 1958- 著
学科主题:
电子计算机-存储器-基本知识
中图法分类号:
TP333
书目附注:
有书目 (第218-225页)
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索书号 条码号 年卷期 馆藏地 书刊状态
TP333/4 C000190927 2002  理科阅览区     可借
TP333/4 C000190928 2002  理科阅览区     可借
TP333/4 C000190929 2002  理科阅览区     可借
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