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题名/责任者:

碳化硅功率器件:特性、测试和应用技术/高远, 张岩编著

版本说明:

第2版

出版发行项:

北京:机械工业出版社,2025

ISBN及定价:

978-7-111-77893-6/CNY149.00

载体形态项:

xix, 536页:图;24cm

并列正题名:

Silicon carbide power semiconductor devices:characteristics, testing and applications

其它题名:

特性、测试和应用技术

丛编项:

电力电子新技术系列图书

个人责任者:

高远 编著

个人责任者:

张岩 编著

学科主题:

功率半导体器件

中图法分类号:

TN303

相关题名附注:

英文并列题名取自封面

责任者附注:

高远, 2008年保送进入西安交通大学钱学森实验班, 2012年和2015年于西安交通大学分别获得电气工程专业学士和硕士学位。张岩, 西安交通大学电气学院副教授, 博士生导师, 2014年西安交通大学电气工程博士毕业留校任教至今, 2016-2017年于加拿大女王大学从事博士后访问研究。主要研究方向为碳化硅器件测试及应用技术, 高性能电力电子变换及其先进数字控制技术。

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

本书综合了近几年工业界的最新进展和学术界的最新研究成果, 详细介绍并讨论了碳化硅功率器件的基本原理、发展现状与趋势、特性及测试方法、应用技术和各应用领域的方案。本书共分为12章, 内容涵盖功率半导体器件基础, SiC二极管的主要特性, SiCMOSFET参数的解读、测试及应用, SiC器件与Si器件特性对比, 双脉冲测试技术, SiC器件测试和失效分析技术, 高di/dt影响与应对--关断电压过冲, 高dv/dt的影响与应对--串扰, 高dv/dt影响与应对--共模电流, 共源极电感影响与应对, 驱动电路, SiC器件的主要应用。

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