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题名/责任者:

半导体存储与系统/(意) 安德烈·雷达利, 法比奥·佩利泽等著 霍宗亮 ... [等] 译

出版发行项:

北京:机械工业出版社,2025

ISBN及定价:

978-7-111-77736-6/CNY129.00

载体形态项:

xii, 279页:图 (部分彩图);24cm

统一题名:

Semiconductor memories and systems

丛编项:

集成电路科学与工程丛书

个人责任者:

雷达利 (Redaelli, Andrea) 著

个人责任者:

佩利泽 (Pellizzer, Fabio) 著

个人次要责任者:

霍宗亮 译

个人次要责任者:

王颀 译

学科主题:

半导体器件

中图法分类号:

TN303

题名责任附注:

题名页题: 霍宗亮, 王颀, 胡伟, 陈珂译

出版发行附注:

本版由ELSEVIER LTD.授权机械工业出版社在中国大陆地区 (不包括香港、澳门特别行政区及台湾地区) 出版发行

相关题名附注:

英文题名原文取自封面

责任者附注:

安德烈·雷达利 (Andrea Redaelli), 分别于2003年和2007年在意大利米兰理工大学获得电子工程硕士学位和博士学位。法比奥·佩利泽 (Fabio Pellizzer), 于1996年在意大利帕多瓦大学获得电子工程硕士学位, 毕业论文课题是薄栅氧化物的表征和可靠性。霍宗亮, 研究员, 具有二十余年存储技术研发经验, 在架构、集成、机理、可靠性和芯片设计等方面形成特色。王颀, 研究员, 现在中国科学院微电子研究所工作, 具有二十年以上存储技术研发经验, 发表论文三十余篇, 申请专利五十余项, 科研领域涉及存储器电路、存储系统和可靠性算法等。胡伟, 复旦微电子毕业, 现在北京大学集成电路学院从事客座研究, 专注于先进存储与智能计算领域。

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

本书提供了在各个工艺及系统层次的半导体存储器现状的全面概述。在介绍了市场趋势和存储应用之后, 本书重点介绍了各种主流技术, 详述了它们的现状、挑战和机遇, 并特别关注了可微缩途径。这些述及的技术包括静态随机存取存储器 (SRAM)、动态随机存取存储器 (DRAM)、非易失性存储器 (NVM) 和NAND闪存。本书还提及了嵌入式存储器以及储存类内存(SCM)的各项必备条件和系统级需求。每一章都涵盖了物理运行机制、制造技术和可微缩性的主要挑战因素。最后, 本书回顾了SCM的新兴趋势, 主要关注基于相变的存储技术的优势和机遇。

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