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题名/责任者:

CMOS射频集成电路设计/(美) Thomas H. Lee著 余志平, 周润德等译

版本说明:

第2版

出版发行项:

北京:电子工业出版社,2024

ISBN及定价:

978-7-121-47453-8/CNY159.00

载体形态项:

19, 595页:图;26cm

统一题名:

Design of CMOS radio-frequency integrated circuits

丛编项:

国外电子与通信教材系列

个人责任者:

李 (Lee, Thomas H.) 著

个人次要责任者:

余志平 译

个人次要责任者:

周润德 译

学科主题:

CMOS电路-电路设计-高等学校-教材

中图法分类号:

TN432

版本附注:

译自原书第2版

出版发行附注:

本书中文简体翻译版的版权属于Cambridge University Press和电子工业出版社

责任者附注:

责任者规范汉译姓: 李

责任者附注:

Thomas H. Lee, 于1990年获得美国麻省理工学院电机工程系博士学位, 现为斯坦福大学电气工程系教授。此外, 他还是IEEE固态电路学会和IEEE微波理论与技术学会的杰出讲演者。

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

本书首先简要介绍了无线电发展史和无线系统原理; 在回顾集成电路元件特性、MOS器件物理和模型、RLC串并联和其他振荡网络及分布式系统特点的基础上, 介绍了史密斯圆图、S参数和带宽估计技术; 着重说明了现代高频宽带放大器的设计方法, 详细讨论了关键的射频电路模块, 包括低噪声放大器 (LNA)、基准电压源、混频器、射频功率放大器、振荡器和频率综合器。

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