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MARC状态:审校 文献类型:中文图书 浏览次数:68

题名/责任者:
集成功率器件设计及TCAD仿真/(加拿大) 付越...[等]著 杨兵译
出版发行项:
北京:机械工业出版社,2018
ISBN及定价:
978-7-111-59273-0/CNY125.00
载体形态项:
XIII, 321页, [8] 页图版:图;24cm
统一题名:
Integrated power devices and TCAD simulation
丛编项:
微电子与集成电路先进技术丛书
个人责任者:
付越 著
个人责任者:
李占明 著
个人责任者:
吴卫东 著
个人责任者:
辛 (Sin, Johnny K. O.) 著
个人次要责任者:
杨兵 译
学科主题:
集成电路-功率半导体器件-计算机辅助设计
中图法分类号:
TN303-39
题名责任附注:
题名页题其余责任者: 李占明, 吴卫东, 约翰尼 K.Q.辛 (Johnny K. O. Sin)
出版发行附注:
由Taylor & Francis出版集团旗下, CRC出版公司出版, 并经其授权翻译出版
相关题名附注:
英文题名取自封面
提要文摘附注:
本书从电力电子到功率集成电路 (PIC) 、智能功率技术、器件等方面给电源管理和半导体产业提供了一个完整的描述。本书不仅介绍了集成功率半导体器件, 如横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管 (LDMOSFET) 、横向绝缘栅双极型晶体管 (LIGBT) 和超结LDMOSFET的内部物理现象, 还对电源管理系统进行了一个简单的介绍。
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索书号 条码号 年卷期 馆藏地 书刊状态 还书位置
TN303-39/1 C001404344 2018  理科阅览区     可借 理科阅览区
TN303-39/1 C001404345 2018  理科阅览区     可借 总服务台
TN303-39/1 C001404346 2018  理科阅览区     可借 理科阅览区
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